[发明专利]小晶粒三维存储器有效
| 申请号： | 201310091513.3 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103367365A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/102 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种小晶粒三维存储器，其存储元采用小晶粒二极管。小晶粒二极管含有小晶粒材料，其晶粒尺寸G远小于二极管尺寸D。小晶粒材料可以是纳米晶材料或非晶材料。小晶粒二极管的特征尺寸f小于单晶晶体管的特征尺寸F。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 三维 存储器 | ||
【主权项】：
一种小晶粒三维存储器，其特征在于含有：一含有一半导体衬底(00)的衬底层(50)，该衬底层含有多个有效晶体管(58a、58b)；至少一叠置在所述衬底层(50)上方且通过多个连接通道孔(51)与所述衬底层耦合的存储层(60)，该存储层(60)含有多个存储元(68a、68b…)，每个存储元(68a)含有一个特征尺寸(f)不大于40nm的小晶粒二极管(61)，所述小晶粒二极管(61)的晶粒尺寸(G)小于二极管尺寸(D)；所述存储层(60)的特征尺寸(f)小于所述衬底层(50)的特征尺寸(F)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
