[发明专利]一种芯片表面形貌仿真的方法及装置有效
申请号: | 201310092423.6 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN103226627A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 徐勤志;陈岚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯片表面形貌仿真的方法及装置,用于解决GW模型芯片表面形貌仿真时误差较大的问题。包括:确定与芯片连接线宽相关的研磨垫有效特征粗糙参数;根据有效特征参数确定研磨垫粗糙峰的修正指数分布;根据指数分布及赫兹弹性理论建立研磨垫与芯片表面接触压力和研磨垫形变量的第一关系式;根据接触力学方程建立研磨垫与芯片表面接触压力与研磨垫形变量的第二关系式;根据第一关系式及第二关系式计算研磨垫与芯片表面接触压力及研磨垫形变量的关系式;使用所述芯片的接触压力以及形变量的关系式进行芯片表面形貌仿真。该技术方案避免了GW模型在小线宽CMP工艺仿真中的错误结论,提高了GW模型的模拟预测精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 表面 形貌 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种芯片表面形貌仿真的方法,其特征在于,包括:确定与芯片的连接线宽相关的研磨垫有效特征粗糙参数;根据所述有效特征参数确定研磨垫粗糙峰的修正指数分布;根据所述指数分布及赫兹弹性接触理论建立所述研磨垫与所述芯片的接触压力和研磨垫形变量间的第一关系式;根据接触力学方程建立所述研磨垫与所述芯片的接触压力与所述研磨垫形变量间的第二关系式;根据所述第一关系式以及所述第二关系式计算所述研磨垫与所述芯片的接触压力及形变量的关系式;使用所述芯片的接触压力以及形变量的关系式进行芯片表面形貌仿真。
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