[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310092797.8 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104064463B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，其中，晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底表面具有若干隔离层，相邻隔离层之间形成开口，开口底部具有阈值电压调节层，阈值电压调节层内具有掺杂离子；在阈值电压调节层表面形成阻挡层、以及位于阻挡层表面的沟道层，沟道层为本征态，阻挡层用于阻止阈值电压调节层内的掺杂离子穿透；在沟道层表面形成栅极结构，栅极结构的表面与隔离层表面齐平；去除隔离层直至暴露出半导体衬底为止；在去除隔离层之后，在阈值电压调节层、隔离层、沟道层和栅极结构两侧的半导体衬底表面形成掺杂层，掺杂层的表面不低于沟道层表面。所形成的晶体管功耗降低，性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有若干隔离层，相邻隔离层之间形成开口，所述开口底部具有阈值电压调节层，所述阈值电压调节层内具有掺杂离子；在所述阈值电压调节层表面形成阻挡层、以及位于所述阻挡层表面的沟道层，所述沟道层为本征态，所述阻挡层用于阻止阈值电压调节层内的掺杂离子穿透；在所述沟道层表面形成栅极结构，所述栅极结构的表面与隔离层表面齐平；去除所述隔离层直至暴露出半导体衬底为止；在去除所述隔离层之后，在所述阈值电压调节层、阻挡层、沟道层和栅极结构两侧的半导体衬底表面形成掺杂层，所述掺杂层的表面不低于沟道层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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