[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括在衬底中形成隔离结构；形成第一栅极和第二栅极；形成第一帽层；图形化第一帽层，形成位于第一栅极周围的第一侧墙；在第一侧墙两侧的半导体衬底中外延生长第一半导体材料，高于衬底表面，其中，第一帽层的材料保证在第一侧墙表面不会生长第一半导体材料，且图形化第一帽层时不会损伤隔离结构；接着，去除剩余的第一帽层；形成第二帽层；图形化第二帽层，在第二栅极周围形成第二侧墙；在第二侧墙两侧的半导体衬底中外延生长第二半导体材料，高于衬底表面，其中，第二帽层材料保证在第二侧墙表面不会生长第二半导体材料，且图形化第二帽层时不会损伤隔离结构；图形化剩余的第二帽层。最终形成的半导体器件性能好。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成隔离结构，所述隔离结构将半导体衬底隔开为第一有源区和第二有源区，所述第一有源区、第二有源区的类型相反；形成位于第一有源区的第一栅极和位于第二有源区的第二栅极；形成第一帽层，第一帽层覆盖所述半导体衬底、第一栅极和第二栅极；图形化第一帽层，形成位于第一栅极周围的第一侧墙；在所述第一侧墙两侧的半导体衬底中形成第一凹槽，在第一凹槽中外延生长第一半导体材料，所述第一半导体材料高于所述衬底表面，其中，第一帽层的材料保证在第一侧墙表面不会生长第一半导体材料，且图形化第一帽层时不会损伤隔离结构；在形成第一半导体材料后，去除剩余的第一帽层；去除剩余的第一帽层后，形成第二帽层，所述第二帽层覆盖隔离结构、第一有源区和第二有源区；图形化所述第二帽层，在第二栅极周围形成第二侧墙；在所述第二侧墙两侧的半导体衬底中形成第二凹槽，在第二凹槽中外延生长第二半导体材料，所述第二半导体材料高于所述衬底表面，其中，第二帽层的材料保证在第二侧墙表面不会生长第二半导体材料，且图形化第二帽层时不会损伤隔离结构；图形化剩余的第二帽层，在第一栅极周围形成第三侧墙。