[发明专利]半导体装置及其制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201310092864.6 申请日: 2010-03-12
公开(公告)号: CN103247648A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 梅林拓;高桥洋;庄子礼二郎 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体装置及其制造方法和电子设备。半导体装置用作为背面照明的固态成像装置。该装置的制造方法为:将具有半成品状态的像素阵列的第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的第二半导体晶片结合起来,将第一半导体晶片制成薄膜,将像素阵列电连接到逻辑电路,将像素阵列和逻辑电路制成成品的状态,并且将结合在一起的第一半导体晶片和第二半导体晶片分成微芯片。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 电子设备
【主权项】:
一种半导体装置,其具行背面照明的固态成像装置,所述半导体装置包括:第一半导体层,其包括像素阵列,和第二半导体层,其包括逻辑电路,其中,所述第一半导体层和所述第二半导体层结合在一起,并且所述像素阵列和所述逻辑电路电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310092864.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top