[发明专利]一种无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法无效
| 申请号： | 201310093359.3 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104058749A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李方志;汪乾;胡春峰;黄庆;张海斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种无压烧结制备钛硅碳（Ti3SiC2）陶瓷块体材料的方法，该方法具体为：将原料装入模具中，在20MPa～80MPa的压力下冷压成坯体，然后在150MPa～300MPa的压力下冷等静压成型，再将成型后的样品包埋在钛硅碳粉或者SiC粉中以后放入无压烧结炉中，在惰性气体保护条件或真空条件下以2℃/min～100℃/min的升温速率加热至1200℃～1700℃烧结0.1小时～4小时，得到钛硅碳块体陶瓷材料。实验证实，本发明结合冷压成坯、冷等静压成型，以及无压烧结的工艺，在低成本、低能耗的条件下制得了致密的钛硅碳陶瓷块体材料，并且块体材料的形状多样，因此是一种具有良好应用前景的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 制备 钛硅碳 陶瓷 块体 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：以钛硅碳粉为原料，将原料装入模具中，在20MPa～80MPa的压力下冷压成坯体，然后在150MPa～300MPa的压力下冷等静压成型，再将成型后的样品包埋在钛硅碳粉或者SiC粉中以后放入无压烧结炉中，在惰性气体保护条件或真空条件下以2℃/min～100℃/min的升温速率加热至1200℃/min～1700℃烧结0.1小时～4小时，得到钛硅碳块体陶瓷材料。
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