[发明专利]半导体发光芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310093759.4 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103227256A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李刚 | 申请（专利权）人： | 李刚 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人： | 张约宗;张秋红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体发光芯片及其制造方法，芯片包括衬底，衬底的第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层，其表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔，半导体发光芯片被至少一绝缘层所包裹；绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和第一n型电极；p型电极与p型导电层导电连接；绝缘层内设有n型电极互连层，第一n型电极贯穿绝缘层与n型电极互连层导电连接，n型电极互连层通过至少一第二n型电极与n型导电层导电连接，第二n型电极与n型导电层导电连接，与发光层和p型导电层绝缘；p型电极与第一n型电极、n型电极互连层和第二n型电极绝缘。本发明电流分布均匀，提高发光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底，在所述衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层；其特征在于，在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔，所述半导体发光芯片的所有裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹； 所述绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和至少一第一n型电极；所述p型电极贯穿所述绝缘层与所述p型导电层导电连接；所述绝缘层内设有n型电极互连层，所述第一n型电极贯穿位于所述n型电极互连层上方的所述绝缘层与所述n型电极互连层导电连接，所述n型电极互连层通过至少一贯穿位于所述n型电极互连层下方的所述绝缘层的第二n型电极与所述n型导电层导电连接，所述第二n型电极设在所述n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔内，并与所述n型导电层导电连接，与所述发光层和p型导电层绝缘；所述p型电极与所述第一n型电极、n型电极互连层和第二n型电极间彼此绝缘。
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