[发明专利]一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：在硅片的正面形成绒面；在所述硅片正面形成P扩散层，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；在所述硅片正面形成第一减反膜；在所述第一减反膜上形成第二减反膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极；在上述步骤执行过程中，向所述硅片、第一减反膜或第二减反膜中的一个或多个进行氢基团扩散。本发明提供的太阳能电池的制备方法可以有效提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法，其中，包括以下步骤：a）在硅片的正面形成绒面；b）在所述硅片正面形成P扩散层，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；c）在所述硅片正面形成第一减反膜；d）在所述第一减反膜上形成第二减反膜；e）在所述硅片背面形成背电极和铝背场；f）在所述硅片正面形成正电极；其特征在于：选择性执行步骤g）～i）中的至少一个，在所述步骤b）之后包括：步骤g）向所述硅片进行第一含氢基团扩散；在所述步骤c）之后包括：步骤h）向所述第一减反膜进行第二含氢基团扩散；在所述步骤d）之后包括：步骤i）向所述第二减反膜进行第三含氢基团扩散。