[发明专利]具有TSV和应力补偿层的集成电路(IC)在审
| 申请号： | 201310095219.X | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103325749A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 崔尹升;杰弗里·A·韦斯特 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王璐 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种贯穿衬底的通孔TSV单位单元包含：衬底，其具有顶侧半导体表面和底侧表面；以及TSV，其延伸所述衬底的完全厚度，且包含由形成所述TSV的外边缘的电介质衬垫围绕的导电填料材料。顶侧半导体表面的外接区围绕所述TSV的所述外边缘。电介质隔离在所述外接区外部。拉伸接触蚀刻阻挡层t-CESL在所述电介质隔离上，且在所述外接区上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 tsv 应力 补偿 集成电路 ic | ||
【主权项】：
一种贯穿衬底的通孔TSV单位单元，其包括：衬底，其具有顶侧半导体表面和底侧表面；TSV，其延伸所述衬底的完全厚度，且包括由形成所述TSV的外边缘的电介质衬垫围绕的导电填料材料，所述顶侧半导体表面的外接区，其围绕所述TSV的所述外边缘；电介质隔离，其在所述外接区外部，以及拉伸接触蚀刻阻挡层t‑CESL，其在所述电介质隔离上，且在所述外接区上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310095219.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于电力光纤网络的智能家居网络系统
- 下一篇：图解部件目录的展示全景的可视化
