[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法、显示单元和电子设备有效
| 申请号： | 201310095332.8 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103367460A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 木下智丰 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管、其制造方法、显示单元和电子设备。该薄膜晶体管包括：栅电极和一对源-漏电极，被设置在衬底上；氧化物半导体层，被设置在栅电极与一对源-漏电极之间，该氧化物半导体层形成沟道；保护膜，被设置在衬底上方的整个表面上；以及栅极绝缘膜，被设置在氧化物半导体层的栅电极侧上，该栅极绝缘膜具有部分或全部被覆盖有一对源-漏电极或被覆盖有保护膜的端面。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 显示 单元 电子设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极和一对源‑漏电极，被设置在衬底上；氧化物半导体层，被设置在所述栅电极与所述一对源‑漏电极之间，所述氧化物半导体层形成沟道；保护膜，被设置在所述衬底上方的整个表面上；以及栅极绝缘膜，被设置在所述氧化物半导体层的栅电极侧上，所述栅极绝缘膜具有部分或全部被覆盖有所述一对源‑漏电极或被覆盖有所述保护膜的端面。
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