[发明专利]单晶硅生长用坩埚及其制造方法以及单晶硅的制造方法无效
| 申请号： | 201310095363.3 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103374748A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 矶村敬一郎;山崎宽司;齐藤刚 | 申请（专利权）人： | 日本精细陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 徐川;张颖玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够在CZ法中防止单晶硅提拉时混入杂质，且能够制造与现有的单晶硅相比表现出更高转化效率的单晶硅的单晶硅生长用坩埚、单晶硅生长用坩埚的制造方法以及单晶硅的制造方法。单晶硅生长用坩埚为用于通过提拉法使单晶硅生长的单晶硅生长用坩埚，包括低温熔融层和涂层，所述低温熔融层形成在与熔融硅接触一侧的坩埚主体表面且在低于由无定形耐火物材质制成的坩埚主体的烧结温度的温度下熔融，所述涂层通过在所述低温熔融层上涂布含有氮化硅的浆料并烧结，表现出孔隙率为50％以下且层厚度为0.1mm以上，以及单晶硅生长用坩埚的制造方法和使用该单晶硅生长用坩埚的单晶硅的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 坩埚 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种单晶生长用坩埚，为用于通过提拉法制造单晶硅的单晶形成用坩埚，其特征在于，包括：低温熔融层，形成在与熔融硅接触一侧的坩埚主体表面，且在低于由无定形耐火物材质制成的坩埚主体的烧结温度的温度下熔融；涂层，通过在所述低温熔融层上涂布含有氮化硅的浆料并烧结，表现出孔隙率为50％以下，层厚度为0.1mm以上。
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