[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201310095365.2 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104064469A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形形成具有不同宽度的多个硬掩模层图形；对衬底注入掺杂剂并退退火，在衬底中形成埋氧层；以硬掩模层图形为掩模，刻蚀衬底底形成不同宽度的多个鳍片；去除硬掩模层图形。依照本发明的的半导体器件制造方法，通过多次沉积/刻蚀不同材料层形成不同同宽度和/或高度的硬掩模，对掩模下方注入氧离子形成埋氧层并并刻蚀衬底，从而简便、高效控制了FinFET中Fin的形貌，并提高高了绝缘隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成具有不同宽度的多个硬掩模层图形；对衬底注入掺杂剂并退火，在衬底中形成埋氧层；以硬掩模层图形为掩模，刻蚀衬底形成不同宽度的多个鳍片；去除硬掩模层图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
