[发明专利]折射率渐变的光子晶体发光二极管结构无效
| 申请号： | 201310095993.0 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103151440A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 赵玲慧;马平;甄爱功;王军喜;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层的上面；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层的上面，该n型接触层的一侧形成有一台面；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层台面另一侧的上面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的上面；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层的上面；一折射率渐变阵列式光子晶体，该折射率渐变阵列式光子晶体制作在p型接触层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面的上面；一正电极，该正电极制作在折射率渐变阵列式光子晶体的上面。 | ||
| 搜索关键词： | 折射率 渐变 光子 晶体 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层的上面；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层的上面，该n型接触层的一侧形成有一台面；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层台面另一侧的上面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的上面；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层的上面；一折射率渐变阵列式光子晶体，该折射率渐变阵列式光子晶体制作在p型接触层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面的上面；一正电极，该正电极制作在折射率渐变阵列式光子晶体的上面。
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