[发明专利]电阻式非挥发性内存装置有效
| 申请号： | 201310096514.7 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104078562A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张文岳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式非挥发性记忆体装置。上述电阻式非挥发性记忆体装置包括一底电极接触插塞；一底电极，设置于上述底电极插塞上，且与上述底电极插塞接触；一电阻转态层，设置于上述底电极上；一顶电极，设置于上述电阻转态层上；一顶电极接触插塞，设置于上述顶电极上，且与上述顶电极接触，其中上述底电极接触插塞和上述顶电极接触插塞沿一上视方向以一距离彼此隔开。本发明提供一种电阻式非挥发性记忆体装置通过电极接触插塞配置可使顶电极接触插塞远离于位于底电极接触插塞正上方的部分MIM叠层，以降低因底电极接触插塞顶面轮廓造成的元件电性影响，因而可降低元件的电阻转换阻值变异量。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 挥发性 内存 装置 | ||
【主权项】：
一种电阻式非挥发性内存装置，其特征在于，所述装置包括：一底电极接触插塞；一底电极，设置于该底电极插塞上，且与该底电极插塞接触；一电阻转态层，设置于该底电极上；一顶电极，设置于该电阻转态层上；以及一顶电极接触插塞，设置于该顶电极上，且与该顶电极接触，其中该底电极接触插塞和该顶电极接触插塞沿一上视方向以一距离彼此隔开。
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