[发明专利]一种制备稀土-铁-硼永磁体的方法

摘要

本发明公开了一种制备稀土-铁-硼永磁体的方法，在铸片氢破碎、中破碎结束后，粗粉混料的阶段加入冷却成薄片状的金属Ga，与粗粉搅拌均匀后，在保证气流磨磨室的温度高于30℃情况下，液相的Ga均匀包裹在钕铁硼粉末的外面，消除了Ga进入钕铁硼主相基体Nd2Fe14B后对磁体磁性能的不利影响，同时避免了熔炼过程中Ga吸附在坩埚上的损失。故与相同成分的传统工艺制备的钕铁硼磁体相比，本发明制备的钕铁硼磁体具有更高的剩磁Br、矫顽力Hc和最大磁能积(BH)max。另外，与具有相当矫顽力的钕铁硼磁体相比，采用本发明技术制备的磁体所需添加的Ga的比例显著降低，降低了生产制造成本，节约了稀土资源。

主权项

一种制备稀土‑铁‑硼永磁体的方法，其特征在于，包括下述步骤：（1）利用速凝技术制备不含Ga的钕铁硼合金，将所述合金进行氢破碎、中破碎，得到破碎后的粒度小于10目的钕铁硼合金粉料；（2）在低温环境中将金属Ga制成0.03‑0.5mm厚的固态薄片并破碎成小片；（3）将上述破碎后的钕铁硼粉料、小薄片状的金属Ga及制备钕铁硼工艺中常用的添加剂一起加入密封罐中，进行搅拌，使金属Ga在钕铁硼粗粉中分布均匀；（4）将经步骤（3）混匀后的粉料进行气流磨，所述气流磨磨室温度高于30℃；（5）将经气流磨后的钕铁硼粉末加入添加剂搅拌后在1.0‑2.0T磁场中取向成型初压，再经过压力150‑250MPa冷等静压处理得到压坯；（6）压坯在1020℃‑1150℃真空烧结4‑6小时,再经880℃‑920℃一级回火2‑4小时和450℃‑600℃二级回火处理4‑6小时，制成磁体。