[发明专利]一种DARM存储器省电方法无效
申请号: | 201310097504.5 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN103197753A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 亚历山大;王嵩;谈杰 | 申请(专利权)人: | 西安华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G06F1/32 | 分类号: | G06F1/32 |
代理公司: | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人: | 田洲 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明提供了一种DRAM存储器省电方法,包括以下步骤:T0时刻DRAM接收激活指令;T1时刻关断多出的行地址 |
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搜索关键词: | 一种 darm 存储器 方法 | ||
【主权项】:
一种DARM存储器省电方法,其特征在于包括以下步骤:(1)T0时刻DRAM接收激活指令;(2)T1时刻关断多出的行地址接收器及对应解码电路;(3)TA时刻接收读或写操作指令,进行读或写操作;(4)TB时刻接收预充指令,执行预充指令;(5)TB+1时刻再次打开所有行地址接收器及对应解码电路,为下一次有效操作做准备;其中,M为行地址位数,N为列地址位数,且M>N;TA为读或写操作指令接收时刻,TB为预充指令接收时刻,TC为DRAM在T0时刻接收到的激活指令执行完毕的时刻,且B>A>C>1。
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