[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201310098005.8 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103199114B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杜雷 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，以避免沟道区域的半导体层发生损伤。本发明中薄膜晶体管，包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极，还包括：位于所述半导体层上方，覆盖所述源漏电极的沟道区域，由金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层。通过本发明，当空气中的水蒸气浸入时，该金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层会首先与水蒸气发生反应，从而能够防止沟道区域的金属氧化物半导体被损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极，其特征在于，还包括：位于所述半导体层上方，覆盖所述源漏电极的沟道区域，由金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层，其中，所述源漏电极直接与所述半导体层电连接；所述绝缘体层具有与所述半导体层相同的金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包含氧元素和铟、镓、锌、锡、铝元素中的两种或两种以上的元素，且绝缘体层中氧元素在金属氧化物中的百分比含量为60％～90％。
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