[发明专利]一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310098165.2 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103208518A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘晓勇;王鹏飞;周鹏;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 源漏非 对称 对准 射频 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种源漏非对称自对准的射频功率器件，包括：在衬底上依次形成的氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层、氮化镓铝隔离层；在所述氮化镓铝隔离层之上形成的栅介质层；其特征在于，还包括：在所述栅介质层之上形成的栅极以及位于栅极之上的钝化层；在所述栅极的两侧形成的栅极侧墙；在所述氮化镓铝隔离层内，所述栅极的两侧形成的漏极和源极；介于所述靠近漏极一侧的栅极侧墙与所述漏极之间形成的介质层；覆盖所述靠近漏极一侧的栅极侧墙形成的与所述源极相连的场板，且在器件的沟道长度方向上，所述场板向所述绝缘介质层以及位于栅极之上的钝化层上延伸。
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