[发明专利]一种用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种采用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，该方法包括如下步骤：（1）将沉积有钼层的基底加热至300～400℃，采用溅射法，调节溅射功率至30～200W，溅射得到第一层薄膜，所述第一层薄膜表面呈贫铜富锌状态；（2）调节基底的温度至400～600℃，采用溅射法，调节溅射功率至80～200W，溅射得到第二层薄膜，所述第二层薄膜表面呈富铜状态；（3）调节基底的温度为400～600℃，采用溅射法，调节溅射功率至30～200W，溅射得到第三层薄膜，所述第三层薄膜表面呈贫铜状态，得到铜锌锡硫硒薄膜。

主权项

一种用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：（1）将沉积有钼层的基底加热至300～400℃，用30W‑200W的功率以Cu1.5ZnSnS(Se)4作为旋转溅射靶材在基底上溅射得到第一层薄膜，溅射时间为15‑60min，所述第一层薄膜表面呈贫铜富锌状态，其中Cu1.5ZnSnS(Se)4旋转溅射靶材的形状为空心圆柱体形，其与基底垂直的截面形状为圆环形；（2）调节基底的温度至400～600℃，用80W‑200W的功率以Cu2ZnSnS(Se)4作为旋转溅射靶材在第一层薄膜上溅射得到第二层薄膜，溅射时间为30min‑2h，所述第二层薄膜表面呈富铜状态，其中Cu2ZnSnS(Se)4旋转溅射靶材的形状为空心圆柱体形，其与基底垂直的截面形状为圆环形；（3）调节基底的温度为400～600℃，用30W‑200W的功率以Cu1.8ZnSnS(Se)4作为旋转溅射靶材在第二层薄膜上溅射得到第三层薄膜，溅射时间为20‑60min，所述第三层薄膜表面呈贫铜状态，得到铜锌锡硫硒薄膜，其中Cu1.8ZnSnS(Se)4旋转溅射靶材的形状为空心圆柱体形，其与基底垂直的截面形状为圆环形。