[发明专利]一种SRAM存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310099850.7 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104078427B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李勇;陶佳佳;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L21/265;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SRAM存储器及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底；对所述半导体衬底上的下拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的上拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入。本发明所述方法改变现有技术中的常规离子注入顺序，SRAM器件在形成栅极结构之后，对栅刻蚀损伤进行修复，然后立即执行PD halo/LDD离子注入的步骤，PD器件经历了最少光刻胶的灰化和湿法剥离工艺，PD阈值电压失配达到最小，可以有效提高SRAM的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储器的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；按照先后顺序依次执行以下离子注入步骤：对所述半导体衬底上的下拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的上拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
