[发明专利]具有V形区域的半导体器件有效
| 申请号： | 201310099962.2 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904019B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈昭雄;王琳松;林其谚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文提供了一种具有V形区域的半导体器件或晶体管以及用于形成半导体器件的方法。半导体器件包括一个或多个v形凹槽，其中生长诸如硅锗的应变单晶半导体材料以形成半导体器件的源极和漏极中的至少一个。一个或多个v形凹槽原位被蚀刻进衬底。当半导体器件的第一部分(例如，第一晶体管)和半导体器件的第二部分(例如，第二晶体管)之间的多晶硅间距小于约60nm时，半导体器件包括高度‑长度比至少超过1.6的源极和漏极中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 区域 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，包括：蚀刻衬底的区域以形成u形凹槽，所述u形凹槽从其上形成所述半导体器件的栅极堆叠件的第一衬底表面延伸到所述衬底中；以及原位地蚀刻衬底的限定所述u形凹槽的至少一个第一侧壁以形成v形凹槽，其中，所述v形凹槽被成角为相对于所述第一衬底表面不垂直的角度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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