[发明专利]一种增强型N沟道绝缘栅场效应管无效
| 申请号： | 201310100037.7 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103219383A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 林伟良 | 申请（专利权）人： | 林伟良 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 刘述生 |
| 地址： | 213000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，包括：P型硅衬底、多个N型区、二氧化硅绝缘层、源极、栅极和漏极，所述P型硅衬底的上部扩散有两个N型区，所述两个N型区的表面上加工有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层和两个N型区的表面上分别引出源极、栅极和漏极。通过上述方式，本发明提供的一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，制造工艺比较简单，使用灵活方便，有利于高度集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 沟道 绝缘 场效应 | ||
【主权项】：
一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，包括：P型硅衬底、多个N型区、二氧化硅绝缘层、源极、栅极和漏极，所述P型硅衬底的上部扩散有两个N型区，所述两个N型区的表面上加工有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层和两个N型区的表面上分别引出源极、栅极和漏极。
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