[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导电材料的顶部，并且暴露第一半导电材料的顶部。从第二半导电材料的下方去除第一半导电材料的顶部。氧化第一半导电材料和第二半导电材料，在第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。从第二半导电材料去除第二氧化物，以及完成FinFET的制造。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，所述鳍式场效应晶体管包括具有第一半导电材料和设置在所述第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍；去除所述半导体鳍的第二半导电材料的顶部；暴露所述第一半导电材料的顶部；从所述第二半导电材料的下方去除所述第一半导电材料的顶部；氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料，其中氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料包括在所述第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在所述第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，所述第一厚度大于所述第二厚度；从所述第二半导电材料去除所述第二氧化物；以及完成所述鳍式场效应晶体管的制造。