[发明专利]一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器

摘要

本发明公开了一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器，其结构包括：衬底，此衬底为蓝宝石片；碲镉汞材料，该材料经双面粗、精抛处理后生长阳极氧化层；环氧树脂胶，此胶用作把碲镉汞材料与衬底粘结在一起；ZnS钝化层，该层起钝化材料表面和增透的双重作用；霍尔电极，此电极前后共四个，生长在碲镉汞材料上，用作霍尔测试和器件性能测试的信号引出电极；透明栅电极，该电极生长在ZnS钝化层上，通过此电极对器件施加栅压；加厚电极，此电极生长在透明栅电极上。该结构的探测器在器件性能测试和霍尔测试过程中均可施加栅压，获得器件性能最优时所需的栅压、材料载流子浓度、迁移率等电学参数条件，极大缩短器件的研制进程。

主权项

一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器，其结构为：蓝宝石衬底（1）上依次为把n型碲镉汞材料（4）粘结在衬底上的环氧树脂胶（2）、双面具有阳极氧化层（3）的n型碲镉汞材料（4）和ZnS钝化层（6），透明栅电极（7）位于ZnS钝化层（6）上，在透明栅电极（7）上生长有加厚电极（8），4个霍尔电极（5）位于n型碲镉汞材料（4）上；其特征在于：所述的蓝宝石衬底（1）的厚度为280μm；所述的阳极氧化层（3），厚度为80‑100nm；所述的n型碲镉汞材料（4）的电子浓度为1×1013cm‑3至1×1015cm‑3，经双面粗、精抛处理，厚度为10‑15μm；所述的霍尔电极（5）为Cr和Au复合电极，Cr厚度为20nm，Au厚度为300nm；所述的ZnS钝化层（6）的厚度为200‑300nm；所述的透明栅电极（7）为In电极，厚度为10nm；所述的加厚电极（8）为Au电极，厚度为300nm。