[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310101539.1 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078538B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 曾昭毅 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括基板、形成在基板之上的第一未掺杂的GaN层。第一未掺杂的GaN层的与基板相反的表面具有多个离子植入区域。第一未掺杂的GaN层的具有离子植入区域的表面形成有多个第二未掺杂的GaN层，第二未掺杂的GaN层为岛状且部分覆盖所述离子植入区域。第二未掺杂的GaN层的表面以及离子植入区域的表面形成有一层布拉格反射层。在布拉格反射层的表面依次形成有N型GaN层、活性层以及P型GaN层。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：基板；第一未掺杂的GaN层，形成在基板之上，所述第一未掺杂的GaN层的与基板相反的表面形成有多个离子植入区域；多个第二未掺杂的GaN层，形成在第一未掺杂的GaN层之上，所述第二未掺杂的GaN层为岛状且部分覆盖离子植入区域；布拉格反射层，形成在第二未掺杂的GaN层的表面以及离子植入区域的未被第二未掺杂的GaN层覆盖的表面；以及N型GaN层、活性层以及P型GaN层，依次生长在布拉格反射层的表面。
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