[发明专利]过电压保护元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310102267.7 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078447B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 叶秀伦;张育嘉;刘泽钧;许秀美 | 申请（专利权）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过电压保护元件及其制备方法，包含一基板；一绝缘层，设置于该基板上，该绝缘层具有一凹槽；以及一导体层，设置于该绝缘层上，该导体层具有一第一电极及一第二电极，二者形成一放电通路，且该凹槽位于该放电通路下方。本发明的过电压保护元件的制备方法包含形成一绝缘层于一基板上；形成一凹槽于该绝缘层之内；形成一光阻图案，其填满该凹槽并凸伸出该绝缘层；形成一导体层于该绝缘层上，该光阻图案分隔该导体层而形成一第一电极及一第二电极；以及去除该光阻图案，由此该第一电极及该第二电极形成一放电通路，且该凹槽位于该放电通路下方。 | ||
| 搜索关键词： | 过电压 保护 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种过电压保护元件的制备方法，包含：形成一绝缘层于一基板之上；形成一凹槽于该绝缘层之内；形成一光阻图案，其填满该凹槽并凸伸出该绝缘层；形成一导体层于该绝缘层之上，该光阻图案分隔该导体层而形成一第一电极及一第二电极；以及去除该光阻图案，由此该第一电极及该第二电极形成一放电通路，且该凹槽位于该放电通路的下方。
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