[发明专利]金属硫属化物薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种金属硫属化物薄膜的制备方法，用于用硫族元素源和金属元素源以气相沉积的方式在基片上生长出金属硫属化物薄膜，包括：提供能够分别独立控温的三个温度区域；其中，所述硫族元素源、金属元素源、基片分别放置在所述三个温度区域；控制三个温度区域，使得所述硫族元素源蒸发以产生硫族元素源蒸汽；所述金属元素源蒸发以产生金属元素源蒸汽以及加热所述基片至预定沉积温度；提供载气并使其顺序流过所述三个温度区域，从而将所述硫族元素源蒸汽与所述金属元素源蒸汽载送至基片上沉积并生长形成所述金属硫属化物薄膜。本发明方法简单，制备的薄膜质量较高，避免了繁琐的先期人工引入形核点步骤，有效保证样品的纯度以及表面的清洁。

主权项

一种金属硫属化物薄膜的制备方法，用于用硫族元素源和金属元素源以气相沉积的方式在基片上生长出金属硫属化物薄膜，包括：提供能够分别独立控温的第一温度区域、第二温度区域和第三温度区域；其中，所述硫族元素源放置在所述第一温度区域，所述金属元素源放置在所述第二温度区域，所述基片放置在所述第三温度区域；控制所述第一温度区域达到第一预定温度以加热所述硫族元素源，使得所述硫族元素源蒸发以产生硫族元素源蒸汽；控制所述第二温度区域达到第二预定温度以加热所述金属元素源，使得所述金属元素源蒸发以产生金属元素源蒸汽；控制所述第三温度区域达到第三预定温度以加热所述基片；提供载气并使其顺序流过所述第一温度区域、所述第二温度区域和所述第三温度区域，从而将所述硫族元素源蒸汽与所述金属元素源蒸汽载送至第三温度区域，并在所述基片上沉积并生长形成所述金属硫属化物薄膜。