[发明专利]极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法有效
申请号: | 201310102557.1 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN103197503A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 刘晓雷;李思坤;王向朝;步扬 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/84;G03F7/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法,该方法将缺陷多层膜等效为无缺陷平面镜和缺陷平面镜两部分,首先通过薄掩模近似得到掩模吸收层衍射谱,相位补偿后经过缺陷多层膜反射,然后再进行相位补偿,最后通过薄掩模近似和相位补偿,得到极紫外光刻缺陷掩模衍射谱。本发明可以有效的仿真缺陷对掩模成像的影响,并提高了极紫外光刻厚掩模缺陷的仿真速度。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光刻 厚掩模 缺陷 快速 仿真 方法 | ||
【主权项】:
1.一种极紫外光刻厚掩模的快速仿真方法,该极紫外光刻厚掩模的构成沿入射光方向依次包括吸收层(1)、多层膜(2)、缺陷(3)和基底(4),其特征在于:该仿真方法的缺陷掩模简化模型包括:吸收层等效薄掩模(8)、多层膜等效平面镜(9)、多层膜等效平面镜位置(10)和缺陷等效宽度(11),该方法包括如下步骤:①仿真掩模吸收层衍射谱:吸收层薄掩模近似的复透射系数为:t ′ ( x ) = t ( x ) + Ae jφ δ ( x - w 2 ) + Ae jφ δ ( x + w 2 ) , ]]> 其中,t ( x ) = t b - p 2 w < x < p 2 w t a - 1 2 w < x < - p 2 w and p 2 w < x < 1 2 w , ]]> w为图形周期(5),p为图形尺寸(6),ta为图形区域(6)等效透过率,tb为吸收层区域(7)等效透过率,Aeiφ为薄掩模图形与吸收层交界处边界脉冲修正,A为修正脉冲的振幅,φ为修正脉冲的相位;对复透射系数进行傅里叶变换得到的薄掩模衍射谱为:F thin ( m ) = ( t a - t b ) p w sin c ( m p w ) + t b sin c ( m ) + 2 Aexp ( jφ ) cos ( πm p w ) , ]]> 其中,m为衍射级次,取值范围为-psin(15°)/λ和psin(15°)/λ之间的整数;由Dr.LiTHO严格仿真的计算结果得到复透射系数表达式中的参数ta、tb和Aeiφ,从而得到吸收层薄掩模的复透射系数;入射光(12)为倾斜单位平面波,倾角表示为与z轴的夹角
和投影于x-o-y平面与x轴的夹角θ,掩模吸收层的衍射谱为:F thick ( α m , β m ; α in , β in ) = e - i 2 π λ d abs 2 1 - α in 2 - β in 2 F thin ( α m - α in , β m - β in ) e - i 2 π λ d abs 2 1 - α m 2 - β m 2 , ]]> 其中,Fthin(αm-αin,βm-βin)=Fthin(αm-αin)δ(βm-βin),F thin ( α m ) = ( t a - t b ) p w sin c ( α m λ p w ) + t b sin c ( α m λ ) + 2 Aexp ( iφ ) cos ( π α m λ p w ) ]]> 为复透射系数的傅里叶变换式,即薄掩模衍射谱,其中,
为光从吸收层(1)上表面到达等效薄掩模位置(8)的附加相位,
为光从等效薄掩模位置(8)到达吸收层(1)下表面的附加相位,其中,
αm为m级次衍射光的方向余弦,并且αm=mλ,λ为极紫外光刻机光源的波长,dabs为掩模吸收层(1)厚度;②仿真含缺陷掩模多层膜反射后的衍射谱:通过与Dr.LiTHO严格仿真结果匹配得到简化模型中掩模多层膜缺陷等效反射参数,该缺陷等效反射参数包括多层膜缺陷等效反射系数与多层膜反射系数之比ηdefect和缺陷等效宽度wdefect(11),得到掩模多层膜等效反射系数为:R=RML·tML,其中,![]()
t ML = 1 - 1 2 < x < w defect w and w defect w < x < 1 2 η defect - w defect w < x < w defect w , ]]> rML为多层膜等效反射系数,
为多层膜等效反射率的最大有效角度;由此,得到含缺陷掩模多层膜反射后的衍射谱:
其中,
为多层膜(2)上表面到达等效平面镜位置(9)的附加相位,
为m衍射级的入射角,且
dML(10)为多层膜等效平面镜位置(9)与多层膜(2)上表面的距离;③仿真掩模衍射谱:由多层膜等效平面镜(9)反射的光再次经过吸收层(1)衍射,在吸收层(1)上表面得到掩模衍射谱G(αm,βm):G(αm,βm)=∫Fthick(αn,βn;αm,βm)FML(αm,βm)dαmdβm。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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