[发明专利]一种355nm高阈值高反膜的制备方法

摘要

本发明属于薄膜光学领域，具体涉及一种355nm高阈值高反膜的制备方法，主要针对LaF3/MgF2高反膜中限制薄膜机械特性进而影响光学特性和阈值的关键因素——张应力，采用热舟蒸发技术蒸镀氟化物，在每次镀完LaF3后，采用高能沉积技术镀制一定厚度的SiO2。相对于传统的电子束蒸发和溅射蒸发，本发明不仅可以保证氟化物薄膜中化学计量比的平衡，而且具有应力相对较小的特性；在氟化物膜层中插入一定厚度高能粒子轰击的SiO2膜层，可以在尽可能保持LaF3/MgF2高反膜光谱特性和抗激光损伤特性的同时，很好的补偿膜层中的张应力，降低薄膜的整体应力，从而得到良好的高反射率。本发明具有针对性强、品质高、简单易行的特点。

主权项

一种355nm高阈值高反膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：（1）将基板清洗干净，采用高纯氮气吹干后放入镀膜机；（2）控制镀膜机内真空室的本底真空度小于1×10‑3Pa；（3）将基板加热至180‑200度，并恒温70‑90分钟；（4）采用热舟蒸发法镀制LaF3和MgF2，蒸镀LaF3的速率为0.32nm/s，蒸镀MgF2的速率为0.7nm/s；（5）采用高能沉积技术制备SiO2层，控制蒸镀速率为0.5nm/s，氧分压为4.5E‑2Pa；（6）待真空室冷却至室温后取出镀制好的样品。