[发明专利]半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201310103396.8 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103325676A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 岛本聪;渡桥由悟;桥本良知;广濑义朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置。抑制在低温区域产生异物且形成品质优良的薄膜。该半导体装置的制造方法包括下述工序：形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在衬底上形成至少含有上述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对处理容器内的衬底供给胺类气体的工序；和对副产物进行改性的工序，通过向薄膜形成后的处理容器内供给氮化气体而对附着于处理容器内的副产物进行改性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 衬底 处理 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在所述衬底上形成至少含有所述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对所述处理容器内的所述衬底供给胺类气体的工序；和对副产物进行改性的工序，通过向所述薄膜形成后的所述处理容器内供给氮化气体而对附着于所述处理容器内的副产物进行改性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
