[发明专利]一种微弧氧化膜掺杂金属氧化物的制备技术有效
| 申请号： | 201310103493.7 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103233257A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王平;郭小阳;程小伟;李早元;李明;张春梅;杨丹 | 申请（专利权）人： | 西南石油大学 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;C25D11/04;C25D11/26;C25D11/30 |
| 代理公司： | 成都市辅君专利代理有限公司 51120 | 代理人： | 杨海燕 |
| 地址： | 610500 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微弧氧化膜掺杂金属氧化物的制备技术，采用普通直流或交流微弧氧化电源，将铝、镁、钛、锆、铌等金属及其合金工件连接在电源的阳极，阴极采用普通的铅板或不锈钢板，将工件和阴极一起完全放入微弧氧化溶液中，在氧化溶液中加入经过活化工艺处理的钨、钼、钒金属粉末或其混合物，在5-100A/dm2的电流密度下，机械搅拌使溶液中的钨、钼、钒中一种或多种金属粉末到达氧化工件的表面，在铝、镁、钛、锆、铌等金属及其合金表面形成掺杂有氧化钨、氧化钼、氧化钒三种氧化物中一种或多种的微弧氧化膜。本发明制备的微弧氧化膜表面疏松层致密度、硬度提高，不需抛光微弧氧化膜表面的疏松层即可直接使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 掺杂 金属 氧化物 制备 技术 | ||
【主权项】：
一种微弧氧化膜掺杂金属氧化物的制备技术，其特征在于，采用普通直流或交流微弧氧化电源，将铝、镁、钛、锆、铌等金属及其合金工件连接在电源的阳极，阴极采用普通的铅板或不锈钢板，将工件和阴极一起完全放入微弧氧化溶液中，所述氧化溶液温度控制在25‑40℃，然后在氧化溶液中加入经过活化工艺处理的钨、钼、钒金属粉末或其混合物，并使其均匀分散；在5‑100A/dm2的电流密度下，机械搅拌使溶液中的钨、钼、钒中一种或多种金属粉末到达氧化工件的表面，金属粉末通过微弧氧化时氧化面的电弧重熔作用与工件表面水电解产生的氧离子结合，在铝、镁、钛、锆、铌等金属及其合金表面形成掺杂有氧化钨、氧化钼、氧化钒三种氧化物中一种或多种的微弧氧化膜。
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