[发明专利]用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置无效
申请号: | 201310103526.8 | 申请日: | 2007-05-02 |
公开(公告)号: | CN103215570A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | K·K·辛格;M·马哈贾尼;S·G·加那耶姆;J·约德伏斯基;B·麦克道尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/509;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置。本发明大体来说提供一种沉积材料的方法,并且更明确地说,本发明的实施例有关于使用光激发技术来沉积阻障层、种层、导电材料以及介电材料的化学气相沉积制程以及原子层沉积制程。本发明的实施例大体来说提供辅助制程方法及设备,其中可执行该辅助制程以提供均匀沉积的材料。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 原子 沉积 化学品 激发 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:腔室;基材支撑件,设置于所述腔室中并面向所述腔室的顶部;以及气体注入器,沿所述腔室的侧边设置于所述腔室内,所述气体注入器包括气流通道,该气流通道是激励所述气流通道中的气体的能量源。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的