[发明专利]一种匀胶铬版制造工艺有效
申请号: | 201310104872.8 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103235481A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 石孟阳;熊波;谢庆丰;庄奎乾 | 申请(专利权)人: | 深圳市科利德光电材料股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F1/68 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明匀胶铬版制造工艺包括以下步骤:镀膜,提供玻璃板并在玻璃板上生成氮化铬/氮氧化铬膜层形成铬膜基版;切割,根据所要形成的匀胶铬版的尺寸,切割铬膜基版形成多个小尺寸的铬膜基版;清洗,清洁切割后的小尺寸的铬膜基版,去除表面的灰尘、污渍;涂胶,在清洗后的小尺寸的铬膜基版的氮化铬/氮氧化铬膜层上涂覆光刻胶,由于采用先镀膜后切割的方式,玻璃板数量远小于相对切割后数量,可以利用现有镀膜机快速高效地进行镀膜,而且可利用现有镀膜设备,无需额外改进,成本更低。 | ||
搜索关键词: | 一种 匀胶铬版 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种匀胶铬版制造工艺,包括以下步骤:镀膜,提供玻璃板并在玻璃板上生成氮化铬/氮氧化铬膜层形成铬膜基版;切割,根据所要形成的匀胶铬版的尺寸,切割铬膜基版形成多个小尺寸的铬膜基版;清洗,清洁切割后的小尺寸的铬膜基版,去除表面的灰尘、污渍;涂胶,在清洗后的小尺寸的铬膜基版的氮化铬/氮氧化铬膜层上涂覆光刻胶。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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