[发明专利]用于半导体结构的方法和装置有效
| 申请号： | 201310105508.3 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103915422B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 朱立晟;刘丙寅;黄信华;谢元智;赵兰璘;郑钧文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/52;H01L21/60;B81B7/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于半导体结构的装置，包括：第一器件，具有其上形成有第一接合层的表面，所述第一接合层提供与所述第一器件的电连接；第二器件，具有其上形成有第二接合层的表面，所述第二接合层提供与所述第二器件的电连接；位于所述第一器件和所述第二器件之间的微室；以及其中，所述第一接合层和所述第二接合层接合在一起，并且所述第一接合层包括第一层和第二层，所述第一接合层的第一层包含暴露于所述微室的吸气材料并且所述第一接合层的第二层包含共晶金属材料，其中，所述第一器件包括第一互连结构，所述第一接合层覆盖所述第一互连结构并延伸到可以暴露于微室的所述半导体结构的内部。
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