[发明专利]具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法有效
| 申请号： | 201310105573.6 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103915438A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 万幸仁;柯志欣;吴政宪;时定康;林浩宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L23/532;H01L21/8238;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法。本发明提供了实施例互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和形成CMOS器件的实施例方法。实施例CMOS器件包括n型金属氧化物半导体(NMOS)和p型金属氧化物半导体(PMOS)，其中，该NMOS具有夹置在第一金属接触件和NMOS源极之间以及第二金属接触件和NMOS漏极之间的含钛层，并且该PMOS具有PMOS源极和PMOS漏极，其中，PMOS源极具有朝向第三金属接触件的第一含钛区，且PMOS漏极包括朝向第四金属接触件的第二含钛区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 电阻率 互补 金属 氧化物 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，包括：n型金属氧化物半导体(NMOS)器件，具有夹置在第一金属接触件和NMOS源极之间以及第二金属接触件和NMOS漏极之间的含钛层；以及p型金属氧化物半导体(PMOS)器件，具有PMOS源极和PMOS漏极，其中，所述PMOS源极具有朝向第三金属接触件的第一含钛区，所述PMOS漏极包括朝向第四金属接触件的第二含钛区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
