[发明专利]具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构有效
| 申请号： | 201310106471.6 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367231A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | R·A·卡米洛-卡斯蒂罗;J·S·邓恩;D·L·哈拉梅;A·K·斯塔珀 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/02;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构。一种形成集成电路结构的方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 沟槽 隔离 集成电路 结构 相关 设计 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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