[发明专利]离子注入装置及其控制方法有效
申请号: | 201310106485.8 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN103367088B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 狩谷宏行;石川雅基;院田佳昭;黑濑猛;八木田贵典;弓山敏男 | 申请(专利权)人: | 斯伊恩股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/244;H01J37/147;H01L21/265 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 舒雄文,王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段,根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值,同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种混合式离子注入装置,其具有如下结构:其中使用从离子源引出的离子束并通过射束扫描仪在横向上进行往复扫描并且使扫描离子束平行化,其中通过调节所述射束扫描仪的扫描速度来控制平行化的离子束的横向离子束密度分布的均匀性并确保所述均匀性,并且其中使晶片沿与所述横向垂直的纵向以机械扫描速度机械地移动,并且通过实时射束测量反馈来控制所述机械扫描速度,从而确保所述晶片中的纵向离子注入分布的均匀性,其中通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置来测量所述离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值,并且所述混合式离子注入装置包括控制装置,所述控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段,根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值,同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节和确保所述横向离子束密度分布的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节。
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