[发明专利]硅通孔布局结构、硅通孔互联结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310106719.9 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104078416B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张武志;陈晓军;刘煊杰;张海芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔布局结构、硅通孔互联结构的形成方法，其中，硅通孔互联结构的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；刻蚀第一区域和第二区域的半导体衬底，在第一区域和第二区域的半导体衬底中形成若干分立的通孔，第一区域的通孔密度大于通孔的平均密度，且所述通孔的平均密度小于等于2%；在所述半导体衬底上形成金属层，金属层填充满所述通孔；采用化学机械研磨工艺平坦化所述金属层，形成硅通孔互联结构。通过优化第一区域的通孔密度与半导体衬底上通孔的平均密度的关系，防止研磨后的表面金属的残留。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 布局 结构 硅通孔互 联结 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔互联结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，半导体衬底上第一区域之外的区域为第二区域；刻蚀第一区域和第二区域的半导体衬底，在第一区域和第二区域的半导体衬底中形成若干分立的通孔，第一区域的通孔密度大于通孔的平均密度，且所述通孔的平均密度小于等于2%，其中，第一区域的通孔密度为第一区域内的所有通孔的开口面积之和与第一区域的半导体衬底的表面积之比，通孔的平均密度为第一区域和第二区域内所有通孔的开口面积之和与第一区域和第二区域的半导体衬底的总表面积之比；在所述半导体衬底上形成金属层，金属层填充满所述通孔；采用化学机械研磨工艺平坦化所述金属层，形成硅通孔互联结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
