[发明专利]R-T-B系稀土磁体粉末、R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法和粘结磁体有效

专利信息
申请号: 201310108069.1 申请日: 2013-03-29
公开(公告)号: CN103357882A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 片山信宏;川崎浩史;森本耕一郎 申请(专利权)人: 户田工业株式会社
主分类号: B22F9/04 分类号: B22F9/04;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/053;H01F1/08
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法,其利用HDDR处理得到R-T-B系稀土磁体粉末,该R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法中,原料合金组成是R量为12.5at.%以上、14.3at.%以下,B量为4.5at.%以上、7.5at.%以下,Co量为10at.%以下,在不活泼气氛或真空气氛中将原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后,将气氛切换到含氢的气体气氛,实施以上述温度范围进行保持的第一阶段HD工序,接着,再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围,实施以含氢的气体气氛进行保持的第二阶段HD工序。
搜索关键词: 稀土 磁体 粉末 制造 方法 粘结
【主权项】:
一种R‑T‑B系稀土磁体粉末的制造方法,其利用HDDR处理得到R‑T‑B系稀土磁体粉末,该制造方法的特征在于:原料合金包含R、T、B,其中,R是包括Y的一种以上的稀土元素,T是Fe、或Fe和Co,B是硼,该原料合金的组成是R量为12.5at.%以上、14.3at.%以下,B量为4.5at.%以上、7.5at.%以下,Co量为10at.%以下,在不活泼气氛或真空气氛中将该原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后,将气氛切换到含氢的气体气氛,实施以所述温度范围保持30分钟以上、150分钟以下的第一阶段HD工序,接着,再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围,实施以含氢的气体气氛保持60分钟以上、240分钟以下的第二阶段HD工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于户田工业株式会社,未经户田工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310108069.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top