[发明专利]MOS晶体管的制造方法

摘要

一种MOS晶体管的制造方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底上形成多个栅极结构；在栅极结构的两侧形成第一侧墙；以第一侧墙作为掩膜，对半导体衬底进行离子注入，形成源漏离子注入区；去除第一侧墙；在半导体衬底上和栅极结构的四周以及上表面形成第二侧墙层；进行各向同性刻蚀刻蚀第二侧墙层，在栅极结构的两侧形成为第二侧墙，第二侧墙为上窄下宽的三角形，且第二侧墙的底部宽度大于所述第一侧墙的底部宽度；在所述半导体衬底、第二侧墙和栅极结构上沉积层间介质层，层间介质层的上表面和栅极结构齐平。所述第二侧墙使得相邻栅极结构之间的第二侧墙和半导体衬底构成的开口为上宽下窄的敞口状，便于填入介质层。

主权项

一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成第一侧墙；以第一侧墙作为掩膜，对所述半导体衬底进行离子注入，形成源漏离子注入区；去除第一侧墙；在所述半导体衬底上形成第二侧墙层，且所述第二侧墙层覆盖栅极结构，所述第二侧墙层与待沉积的层间介质层材质不同；利用各向同性刻蚀法刻蚀所述第二侧墙层，在栅极结构的两侧形成第二侧墙，所述第二侧墙为直角三角形，所述第二侧墙的底部宽度大于所述第一侧墙的底部宽度；在所述半导体衬底、第二侧墙和栅极结构上沉积层间介质层。