[发明专利]堆迭式封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201310109201.0 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103199071A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉临 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种堆迭式封装结构及其制造方法。堆迭式封装结构的制造方法，包括以下步骤。提供第一晶粒及第二晶粒。第一晶粒与第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面与一边缘表面，第一表面是相对于第二表面，边缘表面介于第一表面与第二表面之间。形成数个导电连接元件于第一晶粒的第一表面、第二表面与边缘表面上。导电连接元件包括焊料部。使焊料部物理连接并电性连接于第二晶粒的第一表面上的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 堆迭式 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种堆迭式封装结构，其特征在于，包括：一第一晶粒；一第二晶粒，其中该第一晶粒与该第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面与一边缘表面，该第一表面是相对于该第二表面，该边缘表面介于该第一表面与该第二表面之间，其中该第一晶粒的该第二表面面对该第二晶粒的该第一表面；一第一线路层，包含多个线路，位于该第一晶粒的该第一表面；一第二线路层，包含多个线路，位于该第一晶粒的该第二表面，其中该第一线路层的该些线路中至少一个经由该第一晶粒的该边缘表面与该第二线路层的该些线路中至少一个电性连结；一第三线路层，包含多个线路，位于该第二晶粒的该第一表面，其中所述第三线路层面对所述第二线路层；以及数个导电连接元件，包含导电部及/或焊料部，该些导电连接元件物理连接并电性连接于该第一晶粒上的该第二线路层与该第二晶粒上的该第三线路层。
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