[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310109329.7 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367283B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 郑震源;李垣哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括在字线之间彼此邻近设置但通过隔离图案彼此间隔开的存储节点焊盘。因而，可以防止由掩模未对准引起的桥接问题。这能够提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板，具有由侧壁部分地限定的凹陷，所述基板具有顶表面；器件隔离层，提供在所述凹陷中，所述器件隔离层具有比所述基板的顶表面低的顶表面；存储器元件，设置在所述基板上；一个或多个第一接触，电连接到所述存储器元件；以及隔离图案，设置在所述器件隔离层上并布置在相邻的所述第一接触之间，所述隔离图案与相邻的所述第一接触直接物理接触，其中所述第一接触中的至少一个与所述基板的顶表面接触并覆盖所述凹陷的侧壁。
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