[发明专利]显示面板、薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种薄膜晶体管，包括栅极、介电层、金属氧化物半导体通道、源极以及漏极。栅极与金属氧化物半导体通道重叠。介电层阻隔栅极、源极以及漏极。源极以及漏极分别位于金属氧化物半导体通道的相对两侧。金属氧化物半导体通道包括金属氧化物半导体层以及配置于金属氧化物半导体层中且彼此分离的多个纳米微结构。此外，上述薄膜晶体管的显示面板及其制造方法也被提出。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供第一基底；在该第一基底上形成栅极；在该第一基底上形成介电层；在该第一基底上形成金属氧化物半导体通道，该金属氧化物半导体通道包括交替地堆叠的多层纳米粒子层及多层金属氧化物半导体层，每一所述多层纳米粒子层包括彼此分离的多个纳米微结构；以及在该第一基底上形成源极和漏极，其中该栅极与该金属氧化物半导体通道重叠，该介电层阻隔该栅极、该源极及该漏极，该源极及该漏极分别位于该金属氧化物半导体通道的相对两侧，其中所述多个纳米微结构为多个纳米粒子，所述多个纳米粒子的载流子浓度大于该金属氧化物半导体层的载流子浓度。