[发明专利]一种U形沟道的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种U形沟道的半导体器件，包括至少一个半导体衬底、一个源区、一个漏区、一个浮栅、一个控制栅、一个U形沟道区以及一个用于连接所述浮栅与所述漏区的栅控p-n结二极管。本发明所提出的U形沟道的半导体器件用浮栅存储信息，并通过所述栅控p-n结二极管对浮栅进行充电或放电，具有单元面积小、芯片密度高、对数据进行存储时操作电压低、数据保持能力强等优点。

主权项

一种U形沟道的半导体器件，包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的具有第二种掺杂类型的源区和漏区；其特征在于，还包括：凹陷在所述半导体衬底内且介于所述源区与漏区之间形成的U形沟道区；在所述源区和漏区之上且覆盖整个U形沟道区形成的第一层绝缘薄膜；在位于所述漏区之上的第一层绝缘薄膜中形成的一个浮栅开口区域，所述开口区域可以是在漏区的半导体水平表面或者在所述的U形凹槽顶部的内侧壁上；在所述第一层绝缘薄膜之上、覆盖所述U形沟道区和所述浮栅开口区域形成的一个作为电荷存储节点的具有第一种掺杂类型的浮栅，通过所述浮栅开口区域在所述浮栅与漏区之间形成的一个p‑n结二极管；覆盖所述浮栅与所述p‑n结二极管形成的第二层绝缘薄膜；在所述第二层绝缘薄膜之上、覆盖并包围所述浮栅形成的控制栅；以导电材料形成的用于将所述源区、控制栅、漏区、半导体衬底与外部电极相连接的源区的接触体、控制栅的接触体、漏区的接触体和半导体衬底的接触体。