[发明专利]一种太阳能电池的选择性掺杂方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。

主权项

一种太阳能电池的选择性掺杂方法，包括如下步骤：第1步、使用磁控溅射的方法在硅片上表面淀积一层厚度约为0.05微米的含有掺杂元素的二氧化硅薄膜；第2步、将淀积后的硅片进行高温扩散，使二氧化硅薄膜中的掺杂元素扩散入硅片，形成PN结；第3步、除去硅片上表面顶电极区以外的氧化层；第4步、在硅片上表面淀积本征非晶硅层；第5步、将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使硅片非顶电极区的掺杂元素被扩散入非晶硅层，降低硅片非顶电极区掺杂元素浓度，实现掺杂元素的逆向扩散；顶电极区二氧化硅薄膜中的掺杂元素进一步向顶电极区扩散，实现顶电极区的重掺杂；第6步、采用浓硝酸和氢氟酸的混合溶液去除硅片表面的非晶硅层和二氧化硅，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。