[发明专利]被动元件单元及相关的制造方法有效
| 申请号： | 201310112020.3 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103367352A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨明宗;洪建州;李东兴;黄伟哲 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种被动元件单元及相应的制造方法。所述被动元件单元具有基底层、被动元件、以及介于基底层与被动元件间的中介层。中介层包含多个电感电容谐振器。本发明所提供的被动元件的结构及相应的制造方法可提升被动元件的效能及增加被动元件工艺的稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 被动 元件 单元 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种被动元件单元，包含有:基底层；中介层，形成于所述基底层上方，所述中介层包含多个电感电容谐振器；以及被动元件，形成于所述中介层上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310112020.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括功率晶体管单元和连接线的集成电路
- 下一篇：半导体封装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
