[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件制造方法，该方法允许稳定半导体器件的操作而不增加由此占用的面积。形成存储器单元晶体管的控制栅极电极，并且然后在控制栅极电极的横侧上形成其存储器栅极电极。然后，在存储器栅极电极的侧壁之上形成存储器偏移间隔物。然后，使用存储器栅极电极、存储器偏移间隔物等作为掩模通过离子注入来形成存储器单元晶体管的存储器源极区域。然后，通过离子注入来形成存储器单元晶体管的存储器漏极区域。然后，在存储器单元晶体管中形成侧壁绝缘膜。在形成侧壁绝缘膜之前，存储器偏移间隔物通过清理等而消失。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底的主表面中使用隔离绝缘膜来限定包括第一元件形成区域的元件形成区域；在所述第一元件形成区域的表面之上形成第一栅极电极；在所述第一栅极电极的侧壁之一与所述第一元件形成区域的所述表面之间形成第二栅极电极而在其间插入保持电荷的绝缘膜；在所述第二栅极电极的侧壁之上形成偏移间隔物；向所述第一元件形成区域的第一区域中注入预定杂质以形成预定传导性类型的杂质区域，所述第一区域位于在其上布置所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的所述第二栅极电极的一侧上；并且去除所述偏移间隔物。