[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310112449.2 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104103695B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邹渊;李群庆;刘军库;朱振东;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括一源极；一漏极；一半导体层，所述漏极和源极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，进一步包括一过渡层设置于所述半导体层与所述绝缘层之间，所述过渡层为通过固化HSQ形成的硅氧多聚交联体层，所述硅氧多聚交联体层中的硅原子分别与所述半导体层及所述绝缘层中的原子相键合。本发明还提供所述薄膜晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极；一半导体层，所述漏极和源极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，进一步包括一过渡层设置于所述半导体层与所述绝缘层之间，所述过渡层为通过固化HSQ形成的硅氧多聚交联体层，所述硅氧多聚交联体层中的硅原子分别与所述半导体层及所述绝缘层中的原子相键合。
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