[发明专利]一种高质量BBO晶体快速生长的方法无效
| 申请号： | 201310113796.7 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103225107A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;吴少凡;陈伟 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种高质量BBO晶体快速生长的方法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠或氧化钠为助熔剂，熔盐生长炉为生长装置。在晶体生长表面增加一个铂金散热装置，增大铂金与晶体的接触面积，将晶体表面的热量通过铂金带走，提高过冷度，提高晶体生长速率，并且铂金散热装置为双层结构，晶体生长过程中挥发出的助熔剂在上层铂金片凝结后掉入下层铂金片，防止助熔剂腐蚀晶体，采用本发明的生长方法可以缩短BBO晶体的生长周期，同时获得高质量的BBO晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 bbo 晶体 快速 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种高质量BBO晶体快速生长的方法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠或氧化钠为助熔剂，熔盐生长炉为生长装置，其特征在于：晶体生长表面增加一个铂金散热装置。
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