[发明专利]一种制程简化的肖特基器件及制造方法无效
| 申请号： | 201310113886.6 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103208534A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 关世瑛;杨忠武;王金秋 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制程简化的肖特基器件及制造方法；该肖特基器件为台面结构，加工的制程中使用2次光刻，较传统的肖特基器件需要3次光刻，生产制程简化，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简化 肖特基 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制程简化的肖特基器件，其特征在于：A、背面金属层（1），为器件的阴极，用于导电焊接的金属材料；B、衬底层（2），为高浓度N传导类型半导体材料；C、外延层（3），为低浓度N传导类型半导体材料；D、势垒层（4），为由薄膜势垒金属与外延层（3）顶部的N型半导体材料合金形成的肖特基势垒层；E、正面金属层（5），为器件的阳极，用于导电焊接的金属材料；F、隔离层（6），为有机绝缘材料；G、台面腐蚀槽（7），为衬底层（2）、外延层（3）的N传导类型半导体材料腐蚀后的表面层，被隔离层（6）覆盖的部分；H、台面腐蚀划片线（8），为衬底层（2）的N传导类型半导体材料腐蚀后的表面层，无隔离层（6）覆盖的部分。
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